任职条件

1. 拥有 12 年以上先进封装、存储封装完整研发实操经验；


2. 台积电、日月光、工研院头部存储 / 封测原厂从业背景优先；


3. 深耕 Hybrid Bonding、Fusion Bonding 键合工艺开发、良率改善者优先；


4. 具备 HBM、3D 堆叠 DRAM、宽 IO 存储封装项目落地经验优先；


5. 掌握封装失效分析、界面缺陷管控、封装可靠性验证能力优先。

三、通用任职要求

1. 学历：微电子、材料、半导体封装、精密机械相关硕士及以上学历；


2. 资历：独立主导键合 / 先进封装模块新工艺开发、试产、量产全流程，完整跟进 NPI 新产品导入；


3. 专业能力
   
   
   
   • 精通 Hybrid Bonding、Fusion Bonding 各类键合设备、制程参数、界面空洞 / 应力缺陷根因分析；
   
   
   • 熟悉 HBM、堆叠 DRAM、2.5D 中介层整套封装工艺链路；
   
   
   • 可独立设计 DOE 实验、搭建封装标准化工艺规范、牵头良率爬坡与瓶颈攻关；
   
   
   • 熟练使用 CSAM、FIB、TEM 等设备开展封装电性 / 物理失效分析；
   
   
   
   


4. 语言
   
   
   
   • 台籍候选人：中文流利，可商务英文沟通；
   
   
   
   


5. 工作意向：可长期全职驻福建晋江厂区办公。

四、核心工作职责

1. 全权负责 Hybrid Bonding、Fusion Bonding 键合模块新工艺研发、工艺迭代、量产良率提升；


2. 主导 HBM、3D 堆叠 DRAM 高端存储封装技术攻关，解决键合界面应力、空洞、导通良率等核心技术瓶颈；


3. 统筹封装实验规划、数据复盘、标准化 SOP、工艺数据库搭建；


4. 联动晶圆制造、设备、品质、测试团队，解决先进封装全流程工艺异常；


5. 输出封装技术规范、工艺专利，带教国内封装研发团队，搭建国产存储先进封装研发体系；


6. 跟进下一代存储先进封装技术路线预研，完成工艺验证与样品开发。